第277节 (第3/5页)
nxt 1950i duv光刻机，良品率稳定在90％。
“嗯，我知道了。”
陈河宇点点头回道，在euv光刻机还未诞生的年代，90％的良品率实属不易。
要等到2018年，euv光刻机得到广泛应用，才能应对日益精密的半导体制造需求，极大提升良品率问题。
这是因为euv光刻机采用的是极紫外光源，而duv光刻机使用的是深紫外光源。
euv光源的波长约为13.5纳米，比duv光源的波长要短得多，可以实现更加精细的分辨率和更小的工艺尺寸，较短的波长能够产生更细腻的图像。
但并不是没有缺点，制造和维护成本都较高，光源的稳定性、镜片制造依旧是个难题，没有三五年，想要应用到半导体工业中，简直痴心妄想。
一行人来到制造部门，换上无尘服、静电消除鞋、帽子和头套，以及防护面罩，以应对车间中可能存在的一些化学品喷洒、粉尘飞扬等风险。
众人站在一旁，随着陈河宇示意。
一名操作员出列，立马取出一块8英寸晶圆，经过仔细观察，确保表面没有任何杂质和污染物，又拿出带有电路图案的透明底片，也就是光掩膜的模板，小心翼翼放置在光刻机上。
“继续吧。”
陈河宇对这些操作并不陌生，系统在录入fan－out封装技术后，脑子里便多出几十年芯片封测经验，可以看出操作员的动作非常娴熟。
处理到这里，操作员又使用旋涂机将光刻胶涂在晶圆上，因为光刻胶是感光性的，可以通过紫外光曝光后改变化学性质，形成复杂的电路图案。
然后将晶圆浸泡在显影液中，显影剂会去除未暴露在紫外光下的光刻胶，只保留曝光后的图案区域，这一步会将电路图案转移到硅片表面。
完成后，一块晶圆上密密麻麻出现几百个矩形芯片，上面遍布数亿看不见的晶体管。
接着利用刻蚀
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